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IGBT LEGM10BE120E1H

IGBT凭借着高功率密度、驱动电路简单以及宽安全工作区等特点,成为了中大功率、中低频率 电力电子设备的首选。在工作频率低于105H2的范围内,硅基IGBT是首选的功率半导体器件,其功率范围涵盖几千瓦至十兆瓦,典型的应用领域包括工业控制(变频器、逆变焊机、不间断电源等):新能源汽车(主电驱、OBC、空调、转向等),新能源发电(光伏逆变器、风电变流器);变频白电 (IPM) ;轨道交通 (牵引变流器) ;智能电网等。

ID
型号(IGBT)
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最大漏极电压
最大漏极电流
导通内阻
封装
栅极总电荷
反向恢复电荷
652564282113785856

LEGM50BE120L5H

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Internal Circuit
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LEGM40BF120L4H

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Internal Circuit
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LEGM35BE120L4H

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Internal Circuit
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LEGM25BE120E2H

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LEGM15BE120E1H

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