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氮化镓

氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。

当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。

传统硅晶体管有两种类型的损耗:传导损耗和开关损耗。

功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失,GaN 晶体管(取代旧的硅技术)的开发已引起电力电子行业的关注。

ID
型号(氮化镓)
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最大漏极电压
最大漏极电流
导通内阻
封装
栅极总电荷
反向恢复电荷
652564282113785856

KT65C1R070D

详情
650V
24A
70mΩ
DFN8*8
9.5nC
110nC
652564282113785856

KT65C1R120D

详情
650V
17A
120mΩ
DFN8*8
16.2nC
84nC
652564282113785856

KT65C1R200D

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650V
12A
200mΩ
DFN8*8
11.9nC
53nC
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