相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。

碳化硅器件在具体应用场景中表现出的特性是:耐高温:硅基材料120°C场景需要散热，使用SiC在175°C结温不需要散热，可承受600°C以上高温环境。

碳化硅功率器件在高功率高压领域有广泛的潜在应用，目前在600-1700V的光伏逆变、工业电源、新能源汽车、数据中心等领域已得到广泛应用。