氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用于高功率、高速光电元件。例如，氮化镓可用于紫光激光二极管，并且可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped Solid-state Laser）的情况下产生紫光（405nm）激光。

“GaN”中文名称“氮化镓”，是一种新型半导体材料，它具有带隙大、导热率高、耐高温、耐辐射、耐酸碱、高强度高硬度等特点，前期广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信等领域。

与第一代（硅基）半导体相比，第三代半导体具有大带隙、高导电率、高导热率。它们具有高临界击穿电场、高电子迁移率和良好的频率特性、特征。

Keep Tops氮化镓是最具代表性的第三代半导体材料。它已成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一。它具有迄今为止理论上最高的电光和光电转换效率，材料系统。

GaN器件主要包括射频器件和电力电子器件，用于无线充电、电源开关和逆变器等市场。

氮化镓功率器件包括SBD、常关型场效应管、级联型场效应管等产品，主要应用于无线充电部件、功率开关、逆变器、交流电等领域。随着技术进步和成本控制，GaN材料将在中低功率中取代硅基功率器件，并在300V~600V电压范围发挥优势作用。 GaN器件的体积将显着减小：由于导通电阻低、能够在高温环境下工作、作用速度快，器件体积将显着减小。

得益于氮化镓材料本身的优异性能，Keep Tops制作出来的氮化镓芯片面积比传统硅基IGBT/MOSFET更小。密度更高，因此功率密度/面积远远超过硅基解决方案。另外，使用氮化镓芯片后，其他外围元件的使用量也减少了。电容器、电感器和线圈等无源元件比硅基解决方案少得多，进一步缩小了体积。