IGBT凭借着高功率密度、驱动电路简单以及宽安全工作区等特点,成为了中大功率、中低频率 电力电子设备的首选。
在工作频率低于105H2的范围内,硅基IGBT是首选的功率半导体器件,其功率范围涵盖几千瓦至十兆瓦,典型的应用领域包括工业控制(变频器、逆变焊机、不间断电源等):新能源汽车(主电驱、OBC、空调、转向等),新能源发电(光伏逆变器、风电变流器);变频白电 (IPM);轨道交通 (牵引变流器);智能电网等。
ID
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型号(IGBT)
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附件下载
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额定电压
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集电极电流
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集电极峰值电流
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门级与发射极间电压
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最大损耗
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封装
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652564282113785856
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LEGM50BE120L5H 详情 |
1200V
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50A
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100A
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±20V
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350W
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Internal Circuit
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652564282113785856
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LEGM40BF120L4H 详情 |
1200V
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40A
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80A
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±30A
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190W
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Internal Circuit
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652564282113785856
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LEGM35BE120L4H 详情 |
1200V
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35A
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70A
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±30A
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200W
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Internal Circuit
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652564282113785856
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LEGM25BE120E2H 详情 |
1200V
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25A
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50A
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±30A
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170W
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Internal Circuit
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652564282113785856
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LEGM15BE120E1H 详情 |
1200V
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15A
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30A
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±30A
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130W
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Internal Circuit
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652564282113785856
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LEGM10BE120E1H 详情 |
1200V
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10A
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20A
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±30A
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100W
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Internal Circuit
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询价