 0755-27597068
IGBT

IGBT凭借着高功率密度、驱动电路简单以及宽安全工作区等特点,成为了中大功率、中低频率 电力电子设备的首选。

在工作频率低于105H2的范围内,硅基IGBT是首选的功率半导体器件,其功率范围涵盖几千瓦至十兆瓦,典型的应用领域包括工业控制(变频器、逆变焊机、不间断电源等):新能源汽车(主电驱、OBC、空调、转向等),新能源发电(光伏逆变器、风电变流器);变频白电 (IPM);轨道交通 (牵引变流器);智能电网等。

ID
型号(IGBT)
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额定电压
集电极电流
集电极峰值电流
门级与发射极间电压
最大损耗
封装
652564282113785856

LEGM50BE120L5H

详情
1200V
50A
100A
±20V
350W
Internal Circuit
652564282113785856

LEGM40BF120L4H

详情
1200V
40A
80A
±30A
190W
Internal Circuit
652564282113785856

LEGM35BE120L4H

详情
1200V
35A
70A
±30A
200W
Internal Circuit
652564282113785856

LEGM25BE120E2H

详情
1200V
25A
50A
±30A
170W
Internal Circuit
652564282113785856

LEGM15BE120E1H

详情
1200V
15A
30A
±30A
130W
Internal Circuit
652564282113785856

LEGM10BE120E1H

详情
1200V
10A
20A
±30A
100W
Internal Circuit
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