氮化镓具有较宽的禁带宽度（3.4eV），以蓝宝石等材料为衬底，具有良好的散热性能、高效率、体积小、重量轻，有利于器件在高功率条件下的工作。

在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间； 800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间

IGBT的作用是交流电和直流电的转换，同时IGBT还承担电压的高低转换功能，需要通过IGBT转变成直流电，起到对交流电机的变频控制