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第三代半导体开辟“双碳”新赛道

绿色低碳发展、万物智能互联

产品

Product

01
氮化镓
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02
碳化硅
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03
IGBT
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应用

Application

氮化镓电源方案
氮化镓具有较宽的禁带宽度（3.4eV），以蓝宝石等材料为衬底，具有良好的散热性能、高效率、体积小、重量轻，有利于器件在高功率条件下的工作。
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新能源解决方案
在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间； 800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间
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IGBT解决方案
IGBT的作用是交流电和直流电的转换，同时IGBT还承担电压的高低转换功能，需要通过IGBT转变成直流电，起到对交流电机的变频控制
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应用

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  • 氮化镓电源方案
    氮化镓具有较宽的禁带宽度（3.4eV），以蓝宝石等材料为衬底，具有良好的散热性能、高效率、体积小、重量轻，有利于器件在高功率条件下的工作。
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  • 新能源解决方案
    在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间； 800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间
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  • IGBT解决方案
    IGBT的作用是交流电和直流电的转换，同时IGBT还承担电压的高低转换功能，需要通过IGBT转变成直流电，起到对交流电机的变频控制
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荣誉

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实验设备
卓越创新
高效工作
荣誉证书
坚守初心
砥砺前行
合作品牌
精诚合作
共创辉煌
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